HBM技术进化史:从HBM到HBM3e,性能逆袭,见证飞跃
SK海力士推出HBM3E，以8Gbps传输速度和16GB内存的特性，预计于2024年实现量产，成为HBM技术的最新扩展版本，旨在为高性能计算和AI应用提供突破性性能。HBM以人工智能服务器为主要应用场景，最新一代HBM3e已集成于英伟达2023年发布的H200产品中。据Trendforce数据显示，2022年AI服务器出货量达86万台，预计到202...
HBM,躲在英伟达背后大赢家
在英伟达在全球AI市场风光无限的背后，有一家公司在默默收获巨大利益，那就是SK海力士。自2023年以来，SK海力士的HBM订单激增，价格飙升，HBM3规格DRAM价格相比历史增长了惊人的5倍。面对这一局面，三星也不甘示弱，计划在下半年大规模生产HBM芯片以追赶SK海力士。HBM，全称高带宽内存，由三星、AMD和SK海力...
HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比
HBM主要应用于AI服务器场景，最新一代HBM3e搭载于英伟达2023年发布的H200。根据Trendforce数据，2022年AI服务器出货量为86万台，预计到2026年将超过200万台，年复合增速达到29%。AI服务器出货量的增长激发了HBM需求的爆发，并且伴随着服务器平均HBM容量的增加，预期2025年市场规模将达到约150亿美元，增速超...
AI硬件之HBM 高带宽内存
一、事件驱动 1、英伟达AI芯片H200首次采用HBM3e，显存和带宽显著提升。2、美光宣布量产HBM3e内存，将供货英伟达用于NVIDIA H200 TensorCore GPU。3、B100 GPU的HBM容量提升，效能大幅提升，散热技术升级为液冷。4、HBM3e内存量价齐升，海力士、三星、美光三大厂商积极扩产。二、HBM介绍 HBM（高带宽存储器...
内存芯片的疯狂或将在2024年重演
在HBM市场，SK海力士、三星和美光等内存原厂正积极研发下一代HBM技术，如HBM4，以应对存储行业对新一代存储架构和工艺的需求。SK海力士计划在2024上半年量产HBM3e，并提供8层堆叠样品，以进一步提升HBM内存的带宽。三星也在研发HBM4技术，计划于2025年提供样品，并于次年量产。全球存储器市场周期性波动...
HBM爆发,引领存储芯片周期反转
HBM芯片的爆发，引领存储芯片周期反转 随着ChatGPT的火爆，英伟达的AI芯片市场大热，加上拜登禁令的影响，英伟达的股票市值迅速突破2万亿美元，接近苹果。然而，英伟达背后的SK海力士，作为HBM芯片的龙头老大，也在默默发大财。HBM通过先进的封装技术，将多块DRAM Die堆叠，实现高带宽、高容量、低面积和低功耗...
一文读懂AI时代GPU的内存新宠-HBM
HBM采用3D堆叠DRAM技术，通过垂直互连提高带宽与容量，减少物理尺寸，与GDDR5相比，具有更低功耗。第五代HBM3E为HBM系列最新发展，GPU普遍支持2至8颗堆叠，最大达12层，展现集成与性能优势。美光科技批量生产HBM3E，用于英伟达H200 Tensor Core GPU，24GB 8H产品提供1.2TB/s带宽，AI加速器与超级计算机...
HBM4,掀起波澜
SK海力士与台积电携手，计划于2026年推出HBM4，初期的重点在于提升基础裸片性能。HBM技术通过堆叠DRAM裸片并通过TSV技术连接，实现高度集成。三星方面，成立了专门的HBM开发团队，不仅关注HBM3E，还积极投入HBM4的研发，甚至传出将采用4nm工艺生产HBM4逻辑裸晶，显示了其对技术革新和市场地位的追求。市场研究...
2026量产!再投171亿加码国产HBM芯片,国产HBM产业链在全球角色!
为加速国产HBM突破，睿力集成（长鑫存储母公司）在上海投资171亿人民币建设先进封装厂。此厂将专注于各种先进封装技术，如硅穿孔（TSV）互联实现内存堆栈，计划每月提供3万件封装能力。新厂预计于2026年中投产。长鑫存储负责生产HBM DRAM芯片，睿力集成负责堆栈，从而加速产能扩充。三、国产HBM产业链突围 在...
HBM三分天下,国产供应链何时破局?深度解析中国半导体新机遇
在HBM技术推动下，存储芯片行业迎来3D立体时代，存储密度与带宽实现飞跃式提升。HBM3E产品线不断扩展，技术迭代加速。然而，国产企业在HBM领域仍处于起步阶段，面临技术挑战与市场竞争压力。为抢占市场先机，企业正加大研发力度，寻求突破。国内存储企业华邦电等已发布CUBEx类HBM高带宽产品，以创新TSV DRAM堆叠...